Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 53/G 15 Автор(ы) : Galashev A. E. Заглавие : Growth of a Si nanocrystal in an oxygen atmosphere. Computer simulation Место публикации : Crystallography Reports. - 2002. - Vol. 47, Suppliment 1 . - С. S169-S176 ББК : 53 Предметные рубрики: ФИЗИКА Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): si nanocrystal --atomic-oxygen atmosphere --internal stresses Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Галашев Александр Евгеньевич; Институт теплофизики УрО РАН