Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 53/Г 15 Автор(ы) : Галашев А. Е., Скоков В. Н. Заглавие : Зарождение наночастицы диоксида кремния в замкнутой области. Компьютерный эксперимент Параллельн. заглавия :The Nucleation of a Nanoparticle of Silicon Dioxide in a Closed Domain. Computer Experiment Место публикации : Теплофизика высоких температур. - 2003. - Т.41, N 3. - С. 386-394: граф., табл. - ISSN 0040-3644. - ISSN 0040-3644 Примечания : Библиогр.: с. 394 (16 назв.) ББК : 53 Предметные рубрики: ФИЗИКА Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наночастицы--диоксид кремния--метод молекулярной динамики--компьютерные эксперименты--эксперименты компьютерные--sio2--упругонапряженное состояние--состояние упругонапряженное--кластеры--модели молекулярно-динамические--молекулярно-динамические модели--свойства термодинамические--термодинамические свойства--структура кластеров Аннотация: Методом молекулярной динамики изучены кластеры SiO2, находящиеся в полостях сферической, цилиндрической и кубической формы. Исследовано влияние упругонапряженного состояния границ ячейки на физические свойства содержащихся в них наночастиц. При одинаковом характере приложения внешних сил наночастица в ячейке сферической формы испытывала более сильное сжатие, чем в кластерах, окруженных оболочками других геометрий. Кластеры приобретали форму включающей их полости. Действие сжимающих сил приводило к разрыву Si-O-связей и последующему обогащению поверхности кластеров кислородом. Рассмотрено поведение наночастиц после устранения воздействия со стороны границ полости. Только для кластера со сферической геометрией восстанавливалось значительное число Si-O-связей. Для других кластеров наблюдалось испарение атомов кислорода Доп.точки доступа: Скоков, В. Н.