Инвентарный номер: нет.
   
   В 68


    Волченкова, З. С.
    Кристаллическая и дефектная структура образцов HfO2-Y2O3 [] / З. С. Волченкова, Д. С. Зубанкова, В. П. Горелов // Тр. / Ин-т электрохимии УНЦ АН СССР. - 1976. - Вып. 24 : Высокотемпературные электролиты. - С. 66-71. - Библиогр.: 9 назв.
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
HfO2-Y2O3 -- HfO2 -- Y2O3 -- СТРУКТУРА ДЕФЕКТНАЯ -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- ОКСИД ГАФНИЯ -- ГАФНИЙ -- ДИОКСИД ГАФНИЯ -- ОКСИД ИТТРИЯ -- ИТТРИЙ -- Y -- Hf -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ
Аннотация: Определен фазовый состав, электропроводность при 500-1000 С на воздухе и параметр кристаллической решетки у образцов системы HfO2-Y2O3 (0-50,0 мол.% Y2O3), полученных соосаждением гидроокисей. Кроме моноклинного твердого раствора на основе HfO2 в системе образуется кубический, типа CaF2, твердый раствор с кислородно-ионной проводимостью, обусловленной наличием кислородно-ионных вакансий (8-27,5 мол. % Y2O3), а также химическое соединение Y4Hf3O12 и на его основе с добавкой HfO2 - флюоритоподобный твердый раствор с дефектной структурой кислород в междоузлиях, также обеспечивающей преимущественно кислородно-ионный характер проводимости в области составов 27,5-40,0 мол. % Y2O3 (электронная составляющая при PO2 = 1 атм p-типа). Междоузельные твердые растворы очень чувствительны к изменению PO2 в газовой фазе при термообработке. При этом изменение параметра решетки, электропроводности и веса образцов находится в соответствии с типом их дефектной структуры