Ш 66 Шкерин, С. Н. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия поверхности твердого электролита La0.88Sr0.12Ga0.82Mg0.18O3-альфа [] / С. Н. Шкерин, М. В. Кузнецов, Н. А. Калашникова // Электрохимия. - 2003. - Т. 39, N 6. - С. 659-668 : граф., табл. - Библиогр.: с. 668 (20 назв.) . - ISSN 0424-8570 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- РЕНТГЕНОВСКАЯ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ -- СПЕКТРОСКОПИЯ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ -- ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ -- ТВЕРДЫЕ ЭЛЕКТРОЛИТЫ -- ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ -- ГАЛЛАТ ЛАНТАНА ДОПИРОВАННЫЙ -- ПОВЕРХНОСТИ ЭЛЕКТРОЛИТОВ -- ОТЖИГ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ -- ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ОТЖИГ -- La0.88Sr0.12Ga0.82Mg0.18O3-альфа -- La -- Sr -- Ga -- ЛАНТАН -- СТРОНЦИЙ -- ГАЛЛИЙ -- LSGM Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследованы состав и химическое состояние элементов на поверхности твердого кислород-проводящего электролита La0.88Sr0.12Ga0.82Mg0.18O3-альфа до и после высокотемпературного отжига (T = 973 К) в атмосфере CO2. Показано, что продукты взаимодействия легированного галлата лантана с диоксидом углерода локализованы в поверхностном слое толщиной 8-10 нм. Отжиг в CO2-атмосфере не приводит к образованию на поверхности электролита химических соединений углерода с металлами. Поверхностные слои как в исходном электролите, так и после выдержки в CO2 обогащены оксидом стронция, на поверхности присутствует гидроксид лантана |