Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Волченкова З. С., Зубанкова Д. С., Горелов В. П. Заглавие : Кристаллическая и дефектная структура образцов HfO2-Y2O3 Место публикации : Тр. / Ин-т электрохимии УНЦ АН СССР. - Свердловск, 1976. - Вып. 24: Высокотемпературные электролиты. - С. 66-71 Примечания : Библиогр.: 9 назв. ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): hfo2-y2o3--hfo2--y2o3--структура дефектная--структура кристаллическая--оксид гафния--гафний--диоксид гафния--оксид иттрия--иттрий--y--hf--электропроводность Аннотация: Определен фазовый состав, электропроводность при 500-1000 С на воздухе и параметр кристаллической решетки у образцов системы HfO2-Y2O3 (0-50,0 мол.% Y2O3), полученных соосаждением гидроокисей. Кроме моноклинного твердого раствора на основе HfO2 в системе образуется кубический, типа CaF2, твердый раствор с кислородно-ионной проводимостью, обусловленной наличием кислородно-ионных вакансий (8-27,5 мол. % Y2O3), а также химическое соединение Y4Hf3O12 и на его основе с добавкой HfO2 - флюоритоподобный твердый раствор с дефектной структурой кислород в междоузлиях, также обеспечивающей преимущественно кислородно-ионный характер проводимости в области составов 27,5-40,0 мол. % Y2O3 (электронная составляющая при PO2 = 1 атм p-типа). Междоузельные твердые растворы очень чувствительны к изменению PO2 в газовой фазе при термообработке. При этом изменение параметра решетки, электропроводности и веса образцов находится в соответствии с типом их дефектной структуры Доп.точки доступа: Зубанкова, Д. С.; Институт высокотемпературной электрохимии УрО РАН; Горелов, В. П.