Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/С 63 Автор(ы) : Калиев К. А., Вакарин С. В., Барабошкин А. Н., Аксентьев А. Г., Захарьяш С. М. Заглавие : Соотношение ориентации зарождения и роста кристаллов вольфрамовых бронз ромбододекаэдрического габитуса Место публикации : Электродные процессы в галогенидных и оксидных электролитах: (Высокотемпературная электрохимия): Сб. ст. / УНЦ АН СССР. - Свердловск, 1981. - С. 17-21 Примечания : Библиогр.: 5 назв. ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): зародышеобразование кристаллов--ангидрид вольфрамовый--рост кристаллов--кристаллы--бронзы вольфрамовые--габитус ромбододекаэдрический--вольфрам--w--электролиз расплавов--расплав вольфраматный--вольфрамат лития--вольфрамат натрия--na--na2wo4--li--li2wo4--литий--натрий--оксид вольфрама--wo3--na2wo4-li2wo4-wo3 Аннотация: В гальваническом режиме электролиза смешанных расплавов вольфраматов лития, натрия с вольфрамовымангидридом изучена ориентация кристаллов кислородной вольфрамовой бронзы при зарождении и последующем проращивании их через капилляр. Показано, что развитие преимущественной ориентации происходит вдоль наиболее длинной диагонали ромбододекаэдра 100. Исключение составляют лишь области высоких плотностей тока и больших глубин погружения электрода в капилляр, где наблюдается развитие ориентации (111), вследствие обеднения расплава по вольфраму. Однако показано, что общей закономерностью является развитие кристаллов по принципу геометрического отбора Доп.точки доступа: Калиев, К. А.; Вакарин, С. В.; Институт высокотемпературной электрохимии УрО РАН; Барабошкин, А. Н.; Аксентьев, А. Г.; Захарьяш, С. М.