О-49 Окатов, С. В. Моделирование эффектов атомного упорядочения в многокомпонентных системах бета-Si3N4-(O, Be, Mg, Al) [] = Simulation of atomic ordering in beta-Si3N4-(O, Be, Mg, Al) multicomponent systems / С. В. Окатов, А. Л. Ивановский // Известия АН. Сер. физическая . - 2003. - Т. 67, N 7. - 954-957: ил. - Библиогр.: с. 956-957 (9 назв.) . - ISSN 0367-6765 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ -- АТОМНОЕ УПОРЯДОЧЕНИЕ -- УПОРЯДОЧЕНИЕ АТОМНОЕ -- МНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ СИСТЕМЫ -- СИСТЕМЫ МНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ -- Si3N4 -- O -- Be -- Mg -- Al -- КИСЛОРОД -- БЕРИЛЛИЙ -- МАГНИЙ -- АЛЮМИНИЙ -- МЕТОД ПП-ЛМТО -- СВЕРХСТРУКТУРА -- КВАНТОВЫЕ ОДНОМЕРНЫЕ ПРОВОДНИКИ -- СОЛЕНОИДЫ -- ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ Аннотация: Методом FP-LMTO проведено моделирование эффектов атомного упорядочения и образования новых сверхструктур (в виде квазиодномерных "примесных каналов") в системах бета-Si3N4-(O, Be, Mg, Al). Обсуждаются возможности использования этих материалов для создания различных наноразмерных устройств: квантовых одномерных проводников, соленоидов и элементов памяти |