Р 39 Рентгеноэлектронное исследование влияния поверхностного SiO2 на профиль распределения As+, имплантированного в Si при электронном отжиге [] / Д. П. Фриккель, Ю. Ф. Журавлев, М. В. Кузнецов, Д. И. Проскуровский, В. А. Губанов // Спектроскопические методы анализа поверхности аморфных и жидких металлов: Школа-семинар (Челябинск, 21-26 мая 1990 г.): Тез. докл. - 1990. - С. 15-16 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- ИССЛЕДОВАНИЯ РЕНТГЕНОЭЛЕКТРОННЫЕ -- РЕНТГЕНОЭЛЕКТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ -- As -- SiO2 -- ПОВЕРХНОСТИ -- МЫШЬЯК -- ОКСИД КРЕМНИЯ -- ЭЛЕКТРОННЫЙ ОТЖИГ -- ОТЖИГ ЭЛЕКТРОННЫЙ |