О-75 Особенности формирования поверхностного слоя Si[100] импланированного As при электронном отжиге [] / Ю. Ф. Журавлев, Д. П. Фриккель, Д. И. Проскуровский, В. А. Губанов // Химия твердого тела: Междунар. конф. (Одесса, 16-20 окт. 1990 г.): Тез. докл. - 1990. - Т. 1. - С. 94 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- ПОВЕРХНОСТНЫЕ СЛОИ -- СЛОИ ПОВЕРХНОСТНЫЕ -- As -- Si -- КРЕМНИЙ -- МЫШЬЯК -- ОТЖИГ ЭЛЕКТРОННЫЙ -- ЭЛЕКТРОННЫЙ ОТЖИГ |