А 32 Адсорбция цезия на поверхности бета2-GaAs(001) [Текст] / С. Е. Кулькова, С. В. Еремеев, А. В. Постников, И. Р. Шеин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 131, № 4. - С. 667-680 : рис., табл. - Библиогр.: с. 679-680 (50 назв.) . - ISSN 0044-4510 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АДСОРБЦИЯ ЦЕЗИЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- АДСОРБЦИЯ, ЦЕЗИЙ, Cs -- ГИБРИДИЗАЦИЯ Аннотация: Представлены результаты расчетов из первых принципов энергии адсорбции цезия на поверхности бета2-GaAs(001) для двух ее возможных окончаний, выполненные в рамках подходов теории функционала электронной плотности. Показано, что среди рассмотренных высокосимметричных позиций для цезия энергетически предпочтительной является позиция T3 в случае мышьяка в поверхностном слое и T4 -в случае галлия. Цезий вносит незначительные возмущения в положения атомов поверхностных слоев. При этом поверхностные димеры не разрушаются даже при адсорбции в мостиковой и вершинной димерной позиции. Показано, что связь цезия и подложки GaAs(001) основана на s-p-гибридизации состояний мышьяка и цезия, а также на образовании смешанных состояний цезия с делокализованными состояниями чистой поверхности. На границах раздела обоих типов при низких концентрациях цезия более предпочтительными для адсорбции являются позиции с мышьяком в ближайших соседях |