С 66 Состав и морфология химически осажденных пленок Cu2Se — Ga2Se3 / Е. А. Федорова, Л. Н. Маскаева, С. С. Туленин, В. Ф. Марков, М. В. Кузнецов, А. Ю. Чуфаров // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2012. - Т. 14, № 4. - С. 489-495 : ил. - Библиогр.: с. 495 (20 назв.) Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- СЕЛЕНИД МЕДИ -- СЕЛЕНИД ГАЛЛИЯ -- ОСАЖДЕНИЕ ГИДРОХИМИЧЕСКОЕ Аннотация: Расчетом ионных равновесий с использованием термодинамических констант в системе «Ga(NO3)3 — CuCl2 — Na2SeSO3» определены граничные условия образования селенидов меди Cu2Se и галлия Ga2Se3 и их гидроксидов с учетом образования зародышей критического радиуса. Экспериментально показана возможность получения гидрохимическим осаждением тонких пленок GaxCu1−xSeyO2−y на двух типах подложек. Проведены исследования их составов и морфологии Полный текст |