М 42 Медведева, Н. И. Примеси титана, ванадия и никеля в 3C-SiC: электронная структура и эффекты релаксации решетки [] = Titanium, vanadium and nickel impurities in a 3C-SiC: electronic structure and effects of lattice relaxation / Н. И. Медведева, Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36, N 7. - С. 805-808. - Библиогр.: с. 808 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПРИМЕСИ ТИТАНА -- ТИТАН -- Ti -- ВАНАДИЙ -- НИКЕЛЬ -- V -- Ni -- 3C-SiC -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- РЕЛАКСАЦИЯ РЕШЕТОЧНАЯ -- РЕШЕТОЧНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КРЕМНИЙ -- Si -- ЗАРЯДОВАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯДОВАЯ Аннотация: В рамках полнопотенциального варианта метода линейных "muffin-tin" орбиталей проведено теоретическое изучение вариаций химического связывания и решеточной релаксации в кубическом карбиде кремния в присутствии примесных атомов 3d-ряда (M = Ti, V, Ni). Замещение атома кремния на M приводит к сдвигу ближайших атомов углерода в направлении от атома примеси, наибольший эффект наблюдается для атома Ti. Проводящие свойства допированного материала варьируются от полупроводникового для атома титана (электронный проводник) и никеля (дырочный) до металлического в случае ванадия. Особенности химического связывания анализируются на основе значений энергии когезии и зарядовых плотностей Полный текст |