С 87 Структура и состав химически осажденных тонких пленок IN2S3 / В. Ф. Марков, С. С. Туленин, Л. Н. Маскаева, М. В. Кузнецов // Поверхность: Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2014. - № 7. - С. 42-48. - Библиогр.: с. 48 (24 назв.) Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХАЛЬКОГЕНИДЫ -- ОСАЖДЕНИЕ ГИДРОХИМИЧЕСКОЕ -- КРИСТАЛЛИТЫ Аннотация: Методом химического осаждения из водных растворов, содержащих хлорид индия, тиоацетамид, винную кислоту и гидроксиламин солянокислый в области температур 343–368 K получены наноструктурированные пленки кубического сульфида индия(III) толщиной 285–756 нм. В поверхностных слоях пленок обнаружены примеси кислород- и углеродсодержащих соединений, которые отсутствуют в объеме пленок на глубине 12 нм. С повышением температуры синтеза наблюдается существенное изменение морфологии слоев и увеличение размеров кристаллитов от 70 до 150 нм. Отжиг при температуре 573 K приводит к оплавлению агрегатов кристаллитов и вхождению в состав пленок In2S3 от 6 до 10 ат. % кислорода. |