Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/M 46 Автор(ы) : Medvedeva N. I., Ivanovskii A. L., Shveikin G. P. Заглавие : The electronic structure of A2N2O, A = Si, C, Ge Место публикации : Physics and chemistry of novel materials: 4th Bilateral Russian-German Symposium (Febr. 24-March 1, 1999): Progr. and abstr. - Ekaterinburg, 1999. - С. 2.21 ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): керамика--si--кремний--ge--германий--структура электронная--электронная структура--si2n2o--оксинитрид кремния--c2n2o--ge2n2o--оксинитрид германия--свойства электрофизические--электрофизические свойства--свойства механические--механические свойства--свойства термические--термические свойства--лмто метод--сопротивление термическое--термическое сопротивление Доп.точки доступа: Ivanovskii, A. L.; Ивановский Александр Леонидович; Shveikin, G. P.; Швейкин Геннадий Петрович; Медведева Надежда Ивановна