Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/Ю 85 Автор(ы) : Юрьева Э. И., Ивановский А. Л. Заглавие : Химическая связь и электронное строение орторомбических O'-сиалона и оксинитрида кремния с примесями замещения (C, Al, Ga, Be, Mg) Параллельн. заглавия :Chemical bonding and electronic structure of orthorhombic O'-sialon and silicon oxynitride with substitution impurities (C, Al, Ga, Be, Mg) Место публикации : Журнал структурной химии. - 2000. - Т. 41, N 4. - С. 687-695. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463 Примечания : Библиогр.: 28 назв. ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Первопринципным самосогласованным X альфа-методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в кластерах, моделирующих орторомбические O'-сиалон и оксинитрид кремния с примесями замещения по катионной подрешетке. Обсуждены закономерности изменения локальных межатомных взаимодействий и эффективных атомных зарядов в Si2N2O при изо- и гетеровалентном замещении, Si-C, Al, Ga, Be и Mg Доп.точки доступа: Ивановский, А. Л.