Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/Р 93 Автор(ы) : Рыжков М. В., Ивановский А. Л. Заглавие : Квантовохимическое описание локальных электронных состояний в кристаллах. Карбид и нитрид титана Параллельн. заглавия :Quantum chemical description of local electron states in crystals. Titanium carbide and nitride Место публикации : Журнал структурной химии. - 1999. - Т. 40, N 4. - С. 630-638. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463 Примечания : Библиогр.: 42 назв. ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: С использованием кластерного метода ДВ выполнены расчеты электронного строения 63- и 219-атомных кластеров в TiC и TiN. Рассмотрены новые возможности моделирования граничных условий кластера в кристалле. Для расчета эффективных зарядов на атомах применена новая методика интегрирования электронной плотности по пространству между ядрами Доп.точки доступа: Ивановский, А. Л. |