Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/Ш 39 Автор(ы) : Шеин И. Р., Ивановский А. Л. Заглавие : Электронное строение и химическая связь в флюоритоподобных кристаллах CoSi2 и Rh2P Параллельн. заглавия :Electronic Structure and Chemical Bonding in Fluorite-Like CoSi2 and Rh2P Crystals Место публикации : Журнал неорганической химии. - 2003. - Т. 48, N 3. - С. 469-474: табл., граф. - ISSN 0044-457X. - ISSN 0044-457X Примечания : Библиогр.: с. 473-474 (25 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Самосогласованным полнопотенциальным методом FLMTO изучены электронные свойства флюоритоподобных соединений CoSi2 и Rh2P. Установлено подобие структуры, состава верхних занятых энергетических зон и топологии поверхности Ферми этих кристаллов, что объясняет низкотемпературную сверхпроводимость для CoSi2 и Rh2P со сравнимыми значениями Tc. Проведены неэмпирические расчеты упругих свойств (объемного модуля B0 и упругих постоянных C11, C12 и C44). В терминах заселенностей перекрывания кристаллических орбиталей зонным методом сильной связи исследованы особенности межатомных взаимодействий в CoSi2 и Rh2P. Показано, что общая система связей в CoSi2 образована за счет ковалентных взаимодействий Si-Si и Si-Co. В Rh2P основными являются взаимодействия Rh-P, связи P-P и Rh-Rh пренебрежимо малы Доп.точки доступа: Ивановский, А. Л.