Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/О-49 Автор(ы) : Окатов С. В., Ивановский А. Л. Заглавие : Моделирование эффектов атомного упорядочения и электронной структуры в системах бета-Si3N4-Me-O (Me = Be, Mg) Место публикации : Новые неорганические материалы и химическая термодинамика: Второй семинар СО РАН - УрО РАН: Тез. докл. - 2002. - С. 154 ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): si3n4-be-o--si3n4-mg-o--моделирование эффектов--атомное упорядочение--упорядочение атомное--структура электронная--электронная структура--метод сс-лмто--метод хюккеля--наноструктура Доп.точки доступа: Ивановский, А. Л.