Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/О-49 Автор(ы) : Окатов С. В., Ивановский А. Л. Заглавие : Моделирование эффектов атомного упорядочения в многокомпонентных системах бета-Si3N4-(O, Be, Mg, Al) Параллельн. заглавия :Simulation of atomic ordering in beta-Si3N4-(O, Be, Mg, Al) multicomponent systems Место публикации : Известия АН. Сер. физическая . - 2003. - Т. 67, N 7. - С. 954-957: ил. - ISSN 0367-6765. - ISSN 0367-6765 Примечания : Библиогр.: с. 956-957 (9 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Методом FP-LMTO проведено моделирование эффектов атомного упорядочения и образования новых сверхструктур (в виде квазиодномерных "примесных каналов") в системах бета-Si3N4-(O, Be, Mg, Al). Обсуждаются возможности использования этих материалов для создания различных наноразмерных устройств: квантовых одномерных проводников, соленоидов и элементов памяти Доп.точки доступа: Ивановский, А. Л.