Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/К 82 Автор(ы) : Беленков Е. А., Тюменцев В. А., Подкопаев С. А., Швейкин Г. П., Ягафаров Ш. Ш. Заглавие : Кристалло- и фазообразование в системах C-Si и C-Si-Me Место публикации : Вестник Челябинского университета. Сер. 6. - 1998. - N 1. - С. 120-131 ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллообразование--фазообразование--системы двойные--двойные системы--системы тройные--тройные системы--c-si--c-si-me--c--si--углерод--кремний--металлы--cu--кристаллы--al--медь--алюминий--карбид кремния--добавки--легирование Аннотация: Рассмотрено формирование кристаллов новой фазы в системе углерод-кремний, влияние на этот процесс примесей Cu и Al. Установлено, что уже в первые секунды взаимодействия расплава с углеродом средние размеры кристаллов карбида кремния достигают 50 нм. Добавка меди в расплав тормозит рост кристаллов SiC. В присутствии добавки алюминия процесс кристаллообразования развивается более активно. Пространственная неоднородность композита обусловлена обогащением расплава легирующей добавкой в зоне реакции Доп.точки доступа: Беленков, Е. А.; Тюменцев, В. А.; Подкопаев, С. А.; Швейкин, Г. П.; Ягафаров, Ш. Ш.