Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/А 32 Автор(ы) : Кулькова С. Е., Еремеев С. В., Постников А. В., Шеин И. Р. Заглавие : Адсорбция цезия на поверхности бета2-GaAs(001) Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 131, № 4. - С. 667-680: рис., табл. - ISSN 0044-4510. - ISSN 0044-4510 Примечания : Библиогр.: с. 679-680 (50 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): адсорбция цезия--электронная плотность--адсорбция, цезий, cs--гибридизация Аннотация: Представлены результаты расчетов из первых принципов энергии адсорбции цезия на поверхности бета2-GaAs(001) для двух ее возможных окончаний, выполненные в рамках подходов теории функционала электронной плотности. Показано, что среди рассмотренных высокосимметричных позиций для цезия энергетически предпочтительной является позиция T3 в случае мышьяка в поверхностном слое и T4 -в случае галлия. Цезий вносит незначительные возмущения в положения атомов поверхностных слоев. При этом поверхностные димеры не разрушаются даже при адсорбции в мостиковой и вершинной димерной позиции. Показано, что связь цезия и подложки GaAs(001) основана на s-p-гибридизации состояний мышьяка и цезия, а также на образовании смешанных состояний цезия с делокализованными состояниями чистой поверхности. На границах раздела обоих типов при низких концентрациях цезия более предпочтительными для адсорбции являются позиции с мышьяком в ближайших соседях Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Кулькова, С. Е.; Еремеев, С. В.; Постников, А. В.; Шеин, И. Р.