Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/Ш 39 Автор(ы) : Шеин И. Р., Ивановский А. Л. Заглавие : Электронные и упругие свойства сверхпроводящего наноламината TiInC Место публикации : Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, № 8. - С. 1517-1520: табл., граф. - ISSN 0367-3294. - ISSN 0367-3294 Примечания : Библиогр.: с. 1520 (37 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Ab initio полнопотенциальный метод FLAPW с обобщенной градиентной аппроксимацией локальной спиновой плотности использован для анализа электронных свойств и параметров упругости сверхпроводящего наноламината TiInC. В рамках единой схемы определены равновесные параметры кристаллической решетки, зонная структура, полная и парциальные плотности состояний, поверхность Ферми. Рассчитаны независимые коэффициенты упругости, модули объхемного сжатия и сдвига, а также впервые проведены численные оценки параметров упругости для поликристаллического Ti2InC Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Ивановский, А. Л.