Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/Р 93 Автор(ы) : Рыжков М. В., Ивановский А. Л. Заглавие : Электронное строение локальных дефектов в карбиде титана Параллельн. заглавия :Electronic Structure of Local Defects in Titanium Carbide Место публикации : Журнал неорганической химии. - 2000. - Т. 45, N 12. - С. 2035-2041. - ISSN 0044-457X. - ISSN 0044-457X Примечания : Библиогр.: 10 назв. ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: С использованием кластерного метода дискретного варьирования выполнены расчеты электронного строения больших фрагментов кристаллической решетки TiC, моделирующих изолированную вакансию в металлической подрешетке и неизовалентное замещение Ti на Al. На основании полученных результатов показано, что вакансия приводит к деформации электронной плотности не только ближайших, но и более дальних соседей, однако не вызывает смещения зарядовой плотности в эту область кристалла. Взаимодействие примесного атома Al с окружением носит в значительной степени ионный характер в отличие от ковалентной связи Ti-C Доп.точки доступа: Ивановский, А. Л.