Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/М 42 Автор(ы) : Медведева Н. И., Юрьева Э. И., Ивановский А. Л. Заглавие : Примеси титана, ванадия и никеля в 3C-SiC: электронная структура и эффекты релаксации решетки Параллельн. заглавия :Titanium, vanadium and nickel impurities in a 3C-SiC: electronic structure and effects of lattice relaxation Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36, N 7. - С. 805-808. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222 Примечания : Библиогр.: с. 808 (16 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: В рамках полнопотенциального варианта метода линейных "muffin-tin" орбиталей проведено теоретическое изучение вариаций химического связывания и решеточной релаксации в кубическом карбиде кремния в присутствии примесных атомов 3d-ряда (M = Ti, V, Ni). Замещение атома кремния на M приводит к сдвигу ближайших атомов углерода в направлении от атома примеси, наибольший эффект наблюдается для атома Ti. Проводящие свойства допированного материала варьируются от полупроводникового для атома титана (электронный проводник) и никеля (дырочный) до металлического в случае ванадия. Особенности химического связывания анализируются на основе значений энергии когезии и зарядовых плотностей Доп.точки доступа: Юрьева, Э. И.; Ивановский, А. Л.