Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/Ю 85 Автор(ы) : Юрьева Э. И., Ивановский А. Л. Заглавие : Влияние примесей Ti, V, Ni на электронную структуру и химическую связь в кубическом карбиде кремния Параллельн. заглавия :Influence of the Ti, V, Ni impurities on the cubic SiC electronic structure and chemical bonding Место публикации : Журнал структурной химии. - 2002. - Т. 43, N 2. - С. 220-225: табл. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463 Примечания : Библиогр.: с. 224-225 (14 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Неэмпирическим методом дискретного варьирования исследованы электронное строение и параметры химической связи в 3C-SiC с примесями Ti, V и Ni, которые обсуждаются в зависимости от возможных положений примеси (М) в кристалле. В качестве последних рассмотрены позиции внедренияM(i), замещения M(s), а также проведено моделирование более сложных парных типов дефектов M(i) - Si-вакансия и M(s) - Si(i) Доп.точки доступа: Ивановский, А. Л.