С 31 Сеничкин, А. П. Вольт-амперные характеристики системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия / А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника для лазерной индустрии . - 2011. - № 12. - С. 11-12 : рис. - Библиогр. : с. 12 (1 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОСТРУКТУРЫ -- НИТИ КВАНТОВЫЕ -- ПРОВОЛОКИ КВАНТОВЫЕ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ Аннотация: С помощью дифракции электронов было установлено, что атомы Sn декорируют края атомных террас вицинальной поверхности GaAs кристалла при дельта-легировании. Этот факт был использован для создания методом молекулярно-лучевой эпитаксии новой наноструктуры - системы проводящих нанонитей, состоящих из атомов олова, встроенных в кристалл GaAs. Обнаружена анизотропия вольт-амперных характеристик наноструктур, измеряемых в направлениях вдоль и поперек нанонитей |