М 74 Мозалев, А. М. Интегральные высокочастотные конденсаторы с наноструктурными анодно-оксидными диэлектриками / А. М. Мозалев, А. Н. Плиговка, А. О. Крупко // Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 65-73 : рис., табл. - Библиогр. : с. 73 (21 назв.) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЕХАНИЗМ ИОННО-РЕЛАКСАЦИОННЫЙ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И ЧАСТОТНЫЕ Аннотация: С помощью тонкопленочной технологии и анодирования изготовлены интегральные конденсаторы с тремя типами диэлектриков из наноструктурных анодных оксидов Al, сплава Al-Si (1%) и двухслойной системы Al/Ta. Конденсаторы обладают высокими пробивными напряжениями (до 270 В), малыми токами утечки (< 6 10-11 Аl/мм2 при 10 В) и низкими диэлектрическими потерями (tgS порядка 10-3 ). Обнаруженная дисперсия диэлектрической проницаемости и особенности температурных и частотных зависимостей tgd в диапазоне до 300 МГц свидетельствуют о ионно-релаксационном механизме поляризации со временем релаксации от 10 до 100 мкс в зависимости от типа диэлектрика. Конденсаторы эффективны как на низких частотах до 10 кГц, так и на радиочастотах |