С 58 Создание монокристальных нанопроводов из кремния с использованием облучения ионами малых энергий / Б. А. Гурович, К. Е. Приходько, Д. А. Комаров, А. Н. Талденков // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 49-53 : рис. - Библиогр.: с. 53 (5 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОПРОВОДА -- КРЕМНИЙ -- МОНОКРИСТАЛЬНОСТЬ -- ИЗОЛЯЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ -- ТЕМПЕРАТУРА -- ОБЛУЧЕНИЕ ПЛАЗМЕННОЕ Аннотация: В работе предложен способ создания монокристальных кремниевых нанопроводов на поверхности кремниевой пластины путем формирования специально созданных протяженных структур с отрицательным углом наклона боковых стенок и последующего их окисления под действием облучения ионами кислорода малых энергий при температуре 400 °C. Форма и размеры структур подбирались таким образом, чтобы, во-первых, в процессе окисления центральная часть нанопровода не подвергалась модификации, сохраняя монокристальность и уровень легирования исходного кремния, а во-вторых, чтобы обеспечить электрическую изоляцию нанопровода от пластины. Исследована зависимость глубины окисления от температуры и длительности плазменного облучения, а также электрические свойства сформированного оксида |