С 72 Спин-поляризованная токовая эмиссия в вакуум и переключение магнитного состояния тонких наноостровковых пленок / Г. Д. Демин, Н. А. Дюжев, А. Ф. Попков, М. Ю. Чиненков // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 4. - С. 24-30. - Библиогр.: с. 30 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СПИН-ПОЛЯРИЗОВАННОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ -- ВАКУУМНЫЙ ЗАЗОР -- ТОКОВОЕ ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЕ -- МАГНИТНАЯ НАНООСТРОВКОВАЯ СТРУКТУРА -- ТУННЕЛЬНОЕ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ТУННЕЛЬНАЯ СПИНОВАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ Аннотация: Исследуются особенности спин-поляризованного туннелирования через вакуумный зазор при инжекции электронов с магнитного покрытия катода на поверхность магнитных наноостровковых структур в режимах слабой и сильной полевой эмиссии. Обнаружено сильное влияние работы выхода и спинового расщепления магнитного катода на плотность протекающего туннельного тока, а также установлено существенное изменение характера спин-зависимого туннелирования при высоких напряжениях. Полученные теоретические оценки могут быть в дальнейшем использованы для реализации перемагничивания током спинового состояния магнитных наноостровковых пленок и разработки нового поколения высокоплотных запоминающих устройств, основанных на токовом переносе спина |