С 31 Сеничкин, А. П. Оптимизация технологии получения pHEMT-структур на подложках GaAs с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова / А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 15-17 : табл., граф. - Библиогр.: с. 17 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Разработана конструкция и опробована технология изготовления pHEMT-наногетероструктур на вицинальных подложках GaAs с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова. Предложены способы улучшения этой технологии применительно к легированию оловом для получения заданного профиля. Изготовлен тестовый образец наногетероструктуры AlGaAs/lnGaAs с квазиодномерными каналами проводимости в квантовой яме с плотностью тока до 350мА/мм, достаточной для изготовления тестовых полевых транзисторов |