П 12 Павлов, С. В. Модель фазовых переходов в тонкой эпитаксиальной пленке сегнетоэлектрика на подложке / С. В. Павлов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 6-9 : рис. - Библиогр. : с. 9 (2 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛЬ ФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКАЯ -- ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ПОЛЯРИЗАЦИЯ СПОНТАННАЯ Аннотация: Pассмотpена феноменологическая модель фазовых переходов в тонких пленках сегнетоэлектриков с учетом пространственной неоднородности поляризации и неоднородности деформации, а также пьезоэлектрических и электрострикционных взаимодействий пленки с подложкой. Получены теоретические температурные зависимости спонтанной поляризации, поляризационного профиля и теплоемкости в пленке, а также зависимость температуры фазового перехода от толщины пленки на подложке. Показано, что теоретические зависимости удовлетворительно согласуются с экспериментальными результатами для тонких пленок титаната бария на подложке из оксида магния |