С 32 Серегин, Д. С. Влияние температуры кристаллизации на электрофизические свойства пленок цтс / Д. С. Серегин // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7. - С. 19-22 : рис., табл. - Библиогр. : с.22 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЗОЛЬ-ГЕЛЬ -- ПЛЕНКИ -- СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК Аннотация: Исследовано влияние температуры отжига на электрофизические свойства пленок ЦТС, сформированных методом химического осаждения из растворов. Образцы, кристаллизованные при температурах 600- 700 °C, имеют характерные для сегнетоэлектриков петли гистерезиса и ВФХ, при этом с ростом температуры отжига наблюдается снижение остаточной поляризации, прямоугольности петель гистерезиса, уменьшение токов утечки и некоторое возрастание электрической прочности |