Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/К 72 Автор(ы) : Костров А. И. Заглавие : Макромодель ячейки памяти с магнитным туннельным переходом Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 7-11: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 11 (10 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Аннотация: Предложены электрическая макромодель и эквивалентная схема ячейки магниторезистивной памяти на основе магнитного туннельного перехода, переключаемого спин-поляризованным током. В ней использованы нелинейные резисторы для представления параллельного и антипараллельного состояний намагниченности ферромагнитных слоев. Модель ориентирована на применение в системах компьютерного моделирования и проектирования интегральных микросхем. Ее точность и вычислительная эффективность продемонстрированы на примере элемента магниторезистивной памяти Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН