Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/М 34 Автор(ы) : Козюхин С. А., Шерченков А. А., Новоторцев В. М., Тимошенков С. П. Заглавие : Материалы фазовой памяти на основе сложных халькогенидов и их применение в устройствах оперативной памяти Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 73-81: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223 Примечания : Библиогр. : с. 81 (36 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Рассмотрены халькогенидные сплавы системы Ge-Sb-Te с точки зрения их использования в устройствах энергонезависимой фазовой памяти произвольного доступа. Проведен анализ физико-химических свойств кристаллических соединений и аморфных пленок на их основе Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Козюхин, С. А.; Шерченков, А. А.; Новоторцев, В. М.; Тимошенков, С. П.