Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/П 37 Автор(ы) : Пивоваренок С. А., Дунаев А. В., Ефремов А. М., Светцов В. И. Заглавие : Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 69-71: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498 Примечания : Библиогр. : с. 71 (6 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Неравновесная низкотемпературная плазма хлора и хлороводорода применяется в технологии микро- и наноэлектроники для очистки и «сухого» травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев ИМС. Одним из важных процессов здесь является формирование топологического рельефа на поверхности GaAs, который является одним из самых перспективных материалов электроники будущего. Причины этого заключаются в сочетании большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда, что позволяет создавать на основе GaAs широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов. Кроме этого, GaAs является основным материалом квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе AlGaAs [1] Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Пивоваренок, С. А.; Дунаев, А. В.; Ефремов, А. М.; Светцов, В. И.