Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Р 68 Автор(ы) : Зайцев Н. А., Матюшкин И. В., Красников А. Г., Орлов С. Н., Пастухова Ю. М. Заглавие : Роль границ раздела в наноразмерных МДП-транзисторах с многослойными high-K-диэлектриками Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 15-17. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 17 (8 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Раскрывается тезис о необходимости управления структурой субоксидного слоя на границе high-K-диэлектрик/Si путем формирования ультратонкого слоя SiO2, а также на целесообразность использования буферного слоя на границе high-K-диэлектрик/металл Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Зайцев, Н. А.; Матюшкин, И. В.; Красников, А. Г.; Орлов, С. Н.; Пастухова, Ю. М.