Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/М 91 Автор(ы) : Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Г. А., Мустафаев Ар. Г. Заглавие : Исследование гетероэпитаксии кремния на сапфире при создании транзисторных структур Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 41-43: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 43 (5 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Исследуется механизм гетероэnитаксии кремния на сапфире для последующего создания транзисторных структур с низкой дефектностью. Методом резерфордовского обратного рассеяния изучались эпитаксиальные слои Si на сапфировой подложке. В эпитаксиальных слоях заметно увеличение дефектности в тех областях спектра, которые соответствуют промежуточной области между слоем и подложкой и дают максимальный вклад в каналирование. Оже-анализом определен состав и глубина переходного слоя. Разработан способ создания полупроводникового прибора с улучшенными параметрами Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Мустафаев, Г. А.; Мустафаев, Ар. Г.