Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Г 78 Автор(ы) : Шикин А. М., Рыбкин А. Г., Марченко Д. Е., Попова А. А., Варыхалов А. Ю., Радер О. Заглавие : Графен. синтез и особенности электронной структуры Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 9-10. - С. 114-119: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223 Примечания : Библиогр. : с. 119 (34 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением измерены и проанализированы изменения электронной структуры валентной зоны и соответствующих дисперсионных зависимостей электронных состояний графена, синтезированного каталитической реакцией крекинга пропилена на поверхности тонких слоев Ni(111) с последующей интеркаляцией атомов Au под сформированный графеновый монослой. Показано, что данный способ синтеза графена приводит к формированию графенового покрытия монослойной толщины на больших площадях с особенностями электронной структуры, характерными для квазисвободного графена: линейная дисперсия п состояний графена в области точки К зоны Бриллюэна с локализацией точки Дирака вблизи уровня Ферми. Выявлено, что контакт графенового монослоя с интеркалированным слоем Au приводит дополнительно к индуцированному подложкой спин-орбитальному расщеплению п состояний графена, в том числе и в области линейности дисперсионных зависимостей Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Шикин, А. М.; Рыбкин, А. Г.; Марченко, Д. Е.; Попова, А. А.; Варыхалов, А. Ю.; Радер, О.