Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/И 88 Автор(ы) : Галиев Г. Б., Васильевский И. С., Климов Е. А., Пушкарев С. С., Рубан О, А. Заглавие : Использование метаморфной технологии для получения hemt-наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках GaAs и InP с различным содержанием InAs в активной области Место публикации : Нано- и микросистемная техника для лазерной индустрии . - 2011. - № 12. - С. 8-11: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 11 (23 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) выращены MHEMT-наногетероструктуры InyAl1-yAs/InyGa1-yAs с различным содержанием InAs в активной области (около 40 % и более 70 %) на подложках GaAs и InР. Метаморфный буфер InxAl1-xAs варьировался по толщине и по составу с неизменным линейным законом возрастания x по толщине, а также был подвергнут модификации с помощью введения в него напряженных сверхрешеток. Показано, что путем выбора конструкции метаморфного буфера можно в наногетероструктурах на подложках GaAs добиться значений подвижности и концентрации двумерного электронного газа в квантовой яме InGaAAs, сравнимых со значениями в наногетероструктурах на подложках InР Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Галиев, Г. Б.; Васильевский, И. С.; Климов, Е. А.; Пушкарев, С. С.; Рубан, О, А.