Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/С 31 Автор(ы) : Сеничкин А. П., Бугаев А. С., Ячменев А. Э. Заглавие : Вольт-амперные характеристики системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия Место публикации : Нано- и микросистемная техника для лазерной индустрии . - 2011. - № 12. - С. 11-12: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 12 (1 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: С помощью дифракции электронов было установлено, что атомы Sn декорируют края атомных террас вицинальной поверхности GaAs кристалла при дельта-легировании. Этот факт был использован для создания методом молекулярно-лучевой эпитаксии новой наноструктуры - системы проводящих нанонитей, состоящих из атомов олова, встроенных в кристалл GaAs. Обнаружена анизотропия вольт-амперных характеристик наноструктур, измеряемых в направлениях вдоль и поперек нанонитей Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Бугаев, А. С.; Ячменев, А. Э.