Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/М 74 Автор(ы) : Пономарев Д. С., Васильевский И. С., Галиев Г. Б., Климов Е. А., Хабибуллин Р. А., Кульбачинский В. А. Заглавие : Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 16-19: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 19 (5 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InР с составной квантовой ямой (КЯ) InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова - де Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы m*с с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в КЯ нановставками InAs позволяет уменьшить m*с на 26 % по сравнению с КЯ In0,53Ga0,47As Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Пономарев, Д. С.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Хабибуллин, Р. А.; Кульбачинский, В. А.