Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/К 65 Автор(ы) : Козлов А. В., Королев М. А., Поломошнов С. А., Тихонов Р. Д., Черемисинов А. А., Шаманаев С. В. Заглавие : Конструктивные и схемотехнические способы повышения чувствительности биполярных магнитотранзисторов для прецизионного контроля перемещений микромеханических элементов Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 19-20: схема, табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 20 (6 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: С использованием приборно-технологического моделирования и в процессе экспериментальных исследований установлено, что относительная по току чувствительность двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора определяется расположением электродов, легированием кармана, служащего базой, схемой включения с общим потенциалом базы и подложки, режимом работы вблизи насыщения, значением сопротивления нагрузки коллекторов Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Козлов, А. В.; Королев, М. А.; Поломошнов, С. А.; Тихонов , Р. Д.; Черемисинов, А. А.; Шаманаев, С. В.