Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/М 74 Автор(ы) : Мозалев А. М., Плиговка А. Н., Крупко А. О. Заглавие : Интегральные высокочастотные конденсаторы с наноструктурными анодно-оксидными диэлектриками Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 65-73: рис., табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498 Примечания : Библиогр. : с. 73 (21 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: С помощью тонкопленочной технологии и анодирования изготовлены интегральные конденсаторы с тремя типами диэлектриков из наноструктурных анодных оксидов Al, сплава Al-Si (1%) и двухслойной системы Al/Ta. Конденсаторы обладают высокими пробивными напряжениями (до 270 В), малыми токами утечки ( 6 10-11 Аl/мм2 при 10 В) и низкими диэлектрическими потерями (tgS порядка 10-3 ). Обнаруженная дисперсия диэлектрической проницаемости и особенности температурных и частотных зависимостей tgd в диапазоне до 300 МГц свидетельствуют о ионно-релаксационном механизме поляризации со временем релаксации от 10 до 100 мкс в зависимости от типа диэлектрика. Конденсаторы эффективны как на низких частотах до 10 кГц, так и на радиочастотах Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Плиговка, А. Н.; Крупко, А. О.