Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/М 35 Автор(ы) : Матюшкин И. В. Заглавие : Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 34-41: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 41 (15 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: В рамках (2n + 1)-уровневой (n = 4) модели зонной структуры нанокристалла Si, несущего заряд, рассмотрено положение уровня Ферми. Показано, что типичное время утечки заряда на подложку составляет: для электронов зоны проводимости менее 10 с (до микросекунд в зависимости от толщины туннельного SiO2), для электронов на ловушке около 10 лет и выше Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН