Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/С 51 Автор(ы) : Смолин В. К., Качемцев А. Н., Киселев В. К. Заглавие : Физические принципы технологии элементов перспективной энергонезависимой памяти Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 19-25: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 25 (26 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): память--flach-память--память типа mram--fram--rram Аннотация: Дан обзор конструкторско-технологических особенностей выполнения элементов энергонезависимой памяти различных физических принципов действия. Определены лидирующие компании и направления развития различных типов памяти Доп.точки доступа: Качемцев, А. Н.; Киселев, В. К.