Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/П 53 Автор(ы) : Бугаев А. С., Галиев Г. Б., Мальцев П. П., Пушкарев С. С., Федоров Ю. В. Заглавие : Полупроводниковые гетероструктуры InAlAs / InGaAs с метаморфным буфером Inx (Al yGa 1- y) 1- xAs: конструкция, технология, применение Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 14-24: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 24 (54 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): буфер метаморфный--мнемт--дислокации несоответствия--ступень инверстная-- inalas / ingaas--релаксация эпислоя Аннотация: Кратко рассмотрены особенности релаксации упруго-деформированных эпитаксиальных слоев и описывающие ее модели. Названы области применения полупроводниковых гетероструктур InAlAs/InGaAs с метаморфным буфером In x(AlyGa 1 – y) 1 – xAs. Исследовано влияние профиля химического состава метаморфного буфера и технологических режимов его роста (температуры роста, давления мышьяка и вида его молекул) на электрофизические и структурные свойства как самого метаморфного буфера, так и всей гетероструктуры Доп.точки доступа: Бугаев, А. С.; Галиев, Г. Б.; Мальцев, П. П.; Пушкарев, С. С.; Федоров , Ю. В.