Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/С 31 Автор(ы) : Сеничкин А. П., Бугаев А. С., Ячменев А. Э. Заглавие : Особенности вольт-амперных характеристик системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 11. - С. 52-54: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 54 (4 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нити квантовые--проволоки квантовые--наноструктуры--эпитаксия молекулярно-лучевая Аннотация: Обнаружены особенности вольт-амперных характеристик, измеряемых в направлениях вдоль и поперек системы нанонитей атомов олова, расположенных в одной плоскости, встроенной в кристалл GaAs. при измерениях тока вдоль нанонитей в сильных электрических полях обнаружен перегиб электрического тока перед его насыщением; при измерениях тока поперек нанонитей в сильных электрических полях после насыщения тока возникает его нестабильность Доп.точки доступа: Бугаев, А. С.; Ячменев, А. Э.