Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/П 38 Автор(ы) : Плеханов В. Г., Журавлева Л. М. Заглавие : Изотопическое создание полупроводникового графена Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 3. - С. 34-38: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498 Примечания : Библиогр.: с. 38 (24 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): графен--полуметалл--изотопы--полупроводник--легирование нейтронное трансмутационное Аннотация: Многочисленными экспериментами показано, что изотопический эффект в твердом теле перенормирует величину запрещенной энергии Eg в широком классе полупроводников и диэлектриков. Механизм этой перенормировки связан с изменением сильного (ядерного) взаимодействия. В настоящей работе впервые описывается изотопическое открытие Eg в полуметалле графене -важном в современной нанонауке материале, для которого характерно дираковское поведение электронов Доп.точки доступа: Журавлева, Л. М.