Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/В 58 Автор(ы) : Гавриленко В. П., Кузин А. Ю., Митюхляев В. Б., Раков А. В., Тодуа П. А., Филиппов М. Н., Шаронов В. А. Заглавие : Влияние контаминации в низковольтном растровом электронном микроскопе на профиль рельефных элементов нанометрового диапазона Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 2-5: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 5 (8 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): доза электронного облучения--элементы рельефные--контаминация--микроскоп низковольтный растровый электронный Аннотация: Представлены результаты исследований влияния контаминации в РЭМ S-4800 при энергии электронов 1 кэВ на профиль рельефных элементов меры МШПС-2.0К. Показано, что в результате электронного облучения увеличивается ширина нижнего основания рельефных элементов и получены зависимости ширины нижнего основания от дозы электронного облучения при разных режимах облучения. Приведены результаты влияния режима облучения на толщину контаминационной пленки Доп.точки доступа: Гавриленко, В. П.; Кузин, А. Ю.; Митюхляев, В. Б.; Раков, А. В.; Тодуа, П. А.; Филиппов, М. Н.; Шаронов, В. А.