Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/А 19 Автор(ы) : Аверин И. А., Мошников В. А., Пронин И. А. Заглавие : Влияние типа и концентрации собственных дефектов на свойства структур диоксида олова Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 27-29: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 29 (13 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диоксид олова--полупроводник--вакансии кислорода--температура--дефекты точечные Аннотация: Представлен анализ влияния термодинамически равновесных дефектов на свойства диоксида олова. Показано, что основным источником электронов в исследуемом полупроводнике являются двукратно ионизованные вакансии кислорода. Исследовано распределение собственных точечных дефектов в SnO 2 в зависимости от температуры и времени обработки Доп.точки доступа: Мошников, В. А.; Пронин, И. А.